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EPC GaN FET可在数纳秒内驱动激光二极管实现75~231A脉冲电流

来源:小9直播平台    发布时间:2024-01-24 03:40:02
EPC GaN FET可在数纳秒内驱动激光二极管,实现75~231A脉冲电流 宜普电源转换公司(EPC)推出三款激光驱动器电路板,这些板采用了符合AEC-Q101认证标准、快速转换的Ga
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  EPC GaN FET可在数纳秒内驱动激光二极管,实现75~231A脉冲电流

  宜普电源转换公司(EPC)推出三款激光驱动器电路板,这些板采用了符合AEC-Q101认证标准、快速转换的GaNFET以实现具备卓越性能的激光雷达系统。

  EPC推出三款评估板,分别是EPC9179、EPC9181和EPC9180,它采用75 A、125 A、231 A脉冲电流激光驱动器和通过车规级AEC-Q101认证的EPCGaN FET-EPC2252、EPC2204A和EPC2218A。它比前代氮化镓器件的体积小30%和更具成本效益。这些电路板专为长距离和短距离车载激光雷达系统而设计,通过可选的输入和输出值,加快评估氮化镓基解决方案。

  所有评估板都具有相同的功能,只是峰值电流和脉冲宽度不同。这些评估板利用谐振放电功率级,采用由栅极驱动器LMG020驱动的接地参考GaN FET。GaN FET的超快开关可通过负载的杂散电感,对充电电容器进行快速放电,从而在数纳秒内实现数十至数百安培的峰值放电电流。这些评估板旨在最大限度地减少功率回路和共源电感,同时让激光二极管或替代负载可以灵活安装。为了让用户易于使用,所有评估板均配备EPC9989内插器PCB,具备各种占位面积以安装各种激光二极管或其他负载。客户可针对其基于氮化镓器件的解决方案,选择合适的评估板。

  EPC9179/81/80板由3.3 V逻辑或差分逻辑信号诸如LVDS。只需简单更改单端输入值,评估板即可在低至2.5 V或1.8 V的输入电压下操作。车载激光雷达系统的设计非常复杂,找到可靠的解决方案极具挑战性。这些评估板可简化对氮化镓基的强大激光雷达驱动器的评估,这些驱动器比其他半导体解决方案的开关速度更快和可实现更大的脉冲电流。对于技术细节,EPC在其网站上为设计者提供了完整的原理图、物料清单、布局文档和快速入门指南。

  宜普电源转换公司首席执行官兼联合创始人Alex Lidow说:“为了满足车载激光雷达系统不断增长的需求,这些极具成本效益的评估板采用了具备超快开关优势且通过车规级AEC认证的新型氮化镓器件,从而可以简化评估和缩短客户的产品上市时间。”

  有兴趣用GaN解决方案替换其硅MOSFET的设计人员可使用EPC GaN Power Bench的交叉参考工具,根据您所需的特定工作条件,我们会推荐合适的替代方案。

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