二极管分为同质结、单异质结（SH）、双异质结（DH）和量子阱（QW）激光二极管。量子阱激光二极管具有阈值电流低，输出功率高的长处，是目前市场使用的主流产品。同
为了使LD高速开关作业，有必要对它加上略大于阈值电流的直流偏置电流IBIAS
LD的两个主要参数：阈值电流Ith和斜功率S (Slope efficiency)是温度的函数，且具有离散性。
这是个双限流电路，两个限流电路保证经过激光二极管（LD）电流不会超越设定值。具体作业原理。
Q1为P型MOS管，Q2为N型MOS管。流过Q1的电流经过采样电路1变为电压信号与基准电压相比较，经过负反馈电路1操控，可使得流过Q1的电流稳定。经过半导体激光器LD的电流经过采样电路2变为电压信号与电流调理端电压相比较，假如流过半导体激光器的电流大于设定值，经过负反馈电路2调理使得经过Q2的电流添加，导致经过LD电流减小；流过LD的电流太小，经过采样电路2、负反馈电路2调理可使得流过Q2的电流变小，导致流过LD的电流变大，如此重复，经过负反馈电路的操控可使得流过半导体激光器的电流稳定，这种负反馈进程树立的时刻很快。
浪涌多发生在功率器材注册和关断的瞬间，因为这个瞬间电路会有很大电流流过或许电路中某个器材两头会有很大的电压。
这种电路是使用功率器材的注册或关断来强制吸收或阻隔浪涌对器材的冲击。这个电路效果分三个阶段：
1）在使能端电压为低电平阶段。使能端电压为低电平，Q3导通，经过负反馈电路1的操控，Q1断开，强制阻隔电源V+对半导体激光器LD的冲击；使能端为低电平，Q4导通，经过负反馈电路2操控，使Q2导通，这样即便有浪涌冲击，也会被Q2强制吸收，不可能影响半导体激光器LD。
2）使能端从低电平到高电平阶段。Q3、Q4断开。设C1上的电压从V+降到基准电压值所要的时刻为t1,C2从V+降到电流调理端设定电压值的时刻为t2。
调理R5、C1和R6、C2参数能够使得t2mt1。这样在t1阶段，经过负反馈电路1的操控使得Q1渐渐导通，流过Q1电流从零直到稳定，这时因为t2mt1,C2上还有电压，经过负反馈电路2的操控使得Q2处于导通状况，这样流过Q1的电流，以及因为Q1注册发生的浪涌电流悉数由Q2吸收，然后跟着时刻的添加C2电压渐渐降为零，流过Q2的电流渐渐减小，LD上电流渐渐添加直到到达设定值。
3）使能端从高电平到低电平阶段。使能端为低电平Q3,Q4导通。C1因为R5存在，电压从基准电压渐渐升至V+,经过负反馈电路1的操控使得Q1渐渐关断；Q4导通，V+直接给C2充电，电压敏捷升为V+,经过负反馈电路2的操控使得Q2敏捷导通，这样因为Q1关断发生的浪涌将会被Q2强制吸收。
